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激光化学气相沉积快速生长高取向TiN_x薄膜的研究

公衍生 , 涂溶 , 後藤孝

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00391

采用激光化学气相沉积（LCVD）技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiN_x薄膜,重点研究了激光功率（PL）、衬底预热温度（T_pre）和沉积总压力（P_tot）对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射（XRD）、俄歇能谱（AES）和场发射扫描电镜（FESEM）对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明：所得到的TiN_x薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiNx薄膜的取向由（111）变为（200）,薄膜的取向与其微观结构一致.TiN_x薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在P_L=100W时,达到最大值90μm/h（沉积面积为300mm²）,显著高于采用其它方法制备的TiN_x薄膜.

关键词: TiN_x薄膜 , highspeed deposition , orientation , laser chemical vapor deposition (LCVD)